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2022-03
化合物半導體單晶生產用炭素石墨制品
化合物半導體單晶生產用炭素石墨制品化合物半導體單晶生產用炭素石墨制品化合物半導體單晶制造基本上以CZ法為主由于As、P等元素的蒸氣壓較高，與Si不同而采用加壓拉伸（LEC法），由不同元素組合而成的化合物半導體較多，僅以使用炭素石墨制品較多的GaAs單晶的制造工藝為例做一說明。將a和As裝入PBN坩堝，為了防止As蒸發和周圍炭素石墨制品成分的混入，在......
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2022-03
化合物半導體液相外延生成用高純石墨制品
化合物半導體液相外延生成用高純石墨制品化合物半導體液相外延生成用高純石墨制品把拉伸法制造的化合物半導體單晶棒制成硅片，再用液相法在硅片上生長同種或異種的化合物半導體結晶層。這個過程使用的裝置有臥式滑動舟型、臥式旋轉滑動型、豎式浸漬型等種類。圖2-11所示為臥式滑動舟型的簡單構成其舟體即是用高純度各向同性石墨的部件組合而成，也可以使用玻璃炭涂層的石墨......
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2022-03
半導體產業多晶硅生產用石墨制品
半導體產業多晶硅生產用石墨制品多晶硅生產用石墨制品硅半導體用的多晶硅生產用石墨制品。當今，硅材料是以存儲器為核心的半導體產業所使用的主要原料。其生產制造過程中大量使用多晶硅生產用石墨制品。多晶硅的生產工藝為，將純度較高的石英石（SiO2）混以焦炭、木炭等炭素材料，高溫下加熱還原，生成金屬硅（純度約為98％）；然后在反應爐內使金屬硅微粉和氯化氫氣體反......
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2022-03
水銀整流器和電子管用石墨制品的性能
水銀整流器和電子管用石墨制品的性能化合物半導體用的多晶硅生產。化合物廢氣半導體的原料由元素周期表上Ⅱ~Ⅵ族的元素構成，代表性的元素有鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、銦（In）等。化合物半導體單晶與Si單晶有些區別，一般采用液封CZ拉伸法（EC:LiquidEncapsulatedCzochralski）制造，但是也有用合成方法生成多晶化合物并以此......
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2022-03
采用機械加工的辦法生產的高純石墨制品的主要特性
采用機械加工的辦法生產的高純石墨制品的主要特性水銀整流器和電子管用石墨制品器件的人造石墨材料，采用灰分含量低的細顆粒焦炭粉末（如瀝青焦、石油焦等）和少量鱗片狀石墨粉，并用瀝青作黏結劑，經混合、磨粉、壓制、焙燒和石墨化等工序而制成。經過高溫石墨化處理（2600℃以）的目的是將無定形炭轉變成人造石墨，并將大部分灰分驅趕掉。為了使灰分降到最低限度，也有的......
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2022-03
電子管用石墨件在裝管前的處理
電子管用石墨件在裝管前的處理電子管用石墨件在裝管前的處理（1）在大氣中灼燒。電子管用石墨件在裝管前必須進行凈化處理，以便去掉電子管用石墨件表面的油污等雜質。凈化的方法是用高頻加熱器燒約45s，溫度大約為1400~1600℃，冷卻居進行掃成，把表面實化層掃除干凈。有的單位，凈化后為了加速冷卻，防止氧化，采用鎮風冷卻的方法，效果不佳，反而使氧化加重，表......
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2022-03
水銀整流器用石墨器件的處理
水銀整流器用石墨器件的處理水銀整流器用石墨器件的處理石墨器件于1800℃左右在真空烘焙爐里進行凈化,時間大約為50h,邊抽真空邊升高溫度,要防止制品氧化。水銀整流器用石墨器件除了制造上述部件外,還可制成膠狀石墨(將石墨和水制成膠體溶液,其中加有穩定劑和氨)涂在金屬零件和玻璃上,使金屬零件變黑以增加輻射能力,在玻璃上形成導電層用在真空器件中。任何來源......